NST3906DXV6T1G、PMBT3906VS,115、NST3906DXV6T1对比区别
型号 NST3906DXV6T1G PMBT3906VS,115 NST3906DXV6T1
描述 通用 NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管SOT-666 PNP 40V 0.2A双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-563-6 SOT-563 SOT-563-6
频率 250 MHz 250 MHz -
额定电压(DC) -40.0 V - -40.0 V
额定电流 -200 mA - -200 mA
针脚数 6 - -
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 0.5 W 0.36 W 357 mW
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V
集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V
额定功率(Max) 500 mW 360 mW 500 mW
直流电流增益(hFE) 30 - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 360 mW 500 mW
最大电流放大倍数(hFE) - 60 @0.1mA, 1V -
增益频宽积 - - 250 MHz
长度 1.7 mm - 1.6 mm
宽度 1.3 mm - 1.2 mm
高度 0.6 mm - 0.55 mm
封装 SOT-563-6 SOT-563 SOT-563-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
ECCN代码 EAR99 - -