PMBT3906VS,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PMBT3906VS,115中文资料参数规格
技术参数
频率 250 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.36 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 60 @0.1mA, 1V
额定功率Max 360 mW
耗散功率Max 360 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMBT3906VS,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PMBT3906VS,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMBT3906VS,115 | NXP 恩智浦 | SOT-666 PNP 40V 0.2A | 搜索库存 |
替代型号PMBT3906VS,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMBT3906VS,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-563 PNP 360mW | 当前型号 | SOT-666 PNP 40V 0.2A | 当前型号 |
| 型号： NST3906DXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 PNP -40V -200mA 500mW | 功能相似 | 通用 NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | PMBT3906VS,115和NST3906DXV6T1G的区别 |