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BC560C、BC560CG、BC560CZL1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC560C BC560CG BC560CZL1G

描述 低噪声晶体管 Low Noise TransistorsON SEMICONDUCTOR  BC560CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 250 MHz, 625 mW, -100 mA, 100 hFE低噪声晶体管 Low Noise Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 - 250 MHz -

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -45.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

额定功率 - 500 mW -

针脚数 - 3 -

极性 - PNP, P-Channel PNP

耗散功率 625 mW 625 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 380 @2mA, 5V 380 @2mA, 5V 380 @2mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) - 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

增益频宽积 250 MHz - -

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Bulk Box Tape

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 EAR99