锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRF9383MTR1PBF、IRF9383MTRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9383MTR1PBF IRF9383MTRPBF

描述 Direct-FET P-CH 30V 22A单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7

封装 Direct-FET Direct-FET

通道数 - 2

极性 P-CH P-Channel

耗散功率 2.1W (Ta), 113W (Tc) 2.1 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 22A 22A

上升时间 160 ns 160 ns

输入电容(Ciss) 7305pF @15V(Vds) 7305pF @15V(Vds)

下降时间 110 ns 110 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 113W (Tc) 2.1W (Ta), 113W (Tc)

长度 - 6.35 mm

宽度 - 5.05 mm

高度 - 0.7 mm

封装 Direct-FET Direct-FET

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free