IRF9383MTR1PBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
极性 P-CH
耗散功率 2.1W Ta, 113W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 22A
上升时间 160 ns
输入电容Ciss 7305pF @15VVds
下降时间 110 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 113W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
封装 Direct-FET
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF9383MTR1PBF | Infineon 英飞凌 | Direct-FET P-CH 30V 22A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF9383MTR1PBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: Direct-FET P-CH 30V 22A | 当前型号 | Direct-FET P-CH 30V 22A | 当前型号 | |
型号: IRF9383MTRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL P-Channel 30V 22A | 类似代替 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | IRF9383MTR1PBF和IRF9383MTRPBF的区别 |