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PIC16F819T-E/SO、PIC16F819-E/P、PIC16F819-E/SO对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC16F819T-E/SO PIC16F819-E/P PIC16F819-E/SO

描述 PIC16 系列 256 B RAM 3584 B 闪存 增强型闪存 微控制器 - SOIC-18PIC16 系列 256 B RAM 3.5 kB 闪存 8 位 微控制器 - PDIP-18PIC 20MHz 闪存:2K@x14bit

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 18 18 18

封装 SOIC-18 PDIP-18 SOIC-18

频率 20 MHz - 20 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 20.0MHz (max) 20.0MHz (max) 20.0MHz (max)

RAM大小 256 B 256 x 8 256 B

位数 8 - 8

耗散功率 1000 mW 1000 mW 1000 mW

I/O引脚数 16 16 16

存取时间 20.0 µs 20.0 µs 20.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

内核子架构 PIC16 PIC16 PIC16

模数转换数(ADC) 1 1 1

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

电源电压 4V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V -

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 4 V - 4 V

FLASH内存容量 - - 3.5 KB

长度 11.53 mm 22.86 mm -

宽度 7.49 mm 6.35 mm -

高度 2.31 mm 3.3 mm -

封装 SOIC-18 PDIP-18 SOIC-18

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99