DS1258AB-100#、DS1258W-100、DS1258Y-100对比区别

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型号 DS1258AB-100# DS1258W-100 DS1258Y-100

描述 IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIPIC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIPIC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 40 40

封装 DIP-40 DIP-40 DIP-40

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 - 100 GHz 100 GHz

存取时间 100 ns 100 ns 100 ns

内存容量 - 2000000 B 2000000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V 3V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压(Max) 5.25 V - -

电源电压(Min) 4.75 V - -

封装 DIP-40 DIP-40 DIP-40

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead