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BC847BS-7-F、BC847CDW1T1G、BC847BDW1T3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847BS-7-F BC847CDW1T1G BC847BDW1T3G

描述 BC847BS 系列 双 NPN 45 V 200 mW 小信号晶体管 表面贴装 - SOT-363ON SEMICONDUCTOR  BC847CDW1T1G.  双极性晶体管, NPN, 双路, 45V, SOT363ON SEMICONDUCTOR  BC847BDW1T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) - 45.0 V 45.0 V

额定电流 - 100 mA 100 mA

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

针脚数 6 6 6

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 mW 380 mW 380 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 380 mW 380 mW

直流电流增益(hFE) 200 270 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -50 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 380 mW 380 mW

额定功率 0.2 W - -

长度 - 2.2 mm 2 mm

宽度 - 1.35 mm 1.25 mm

高度 1 mm 1.1 mm 0.95 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

军工级 Yes - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -