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V8P10HE3/87A、V8P10-E3/87A、V8P10-E3/86A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 V8P10HE3/87A V8P10-E3/87A V8P10-E3/86A

描述 高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 PowerDFN-3 PowerDFN-3 TO-277

输出电流 ≤8.00 A ≤8.00 A ≤8.00 A

正向电压 680mV @8A 680mV @8A 0.582 V

极性 Standard Standard Standard

正向电压(Max) 680mV @8A 680mV @8A 680mV @8A

反向恢复时间 - - 60 ns

正向电流 - - 7 A

工作结温(Max) - - 150 ℃

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

封装 PowerDFN-3 PowerDFN-3 TO-277

长度 6.15 mm - -

宽度 4.75 mm - -

高度 1.2 mm - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -40℃ ~ 150℃ - -40℃ ~ 150℃