V8P10HE3/87A中文资料参数规格
技术参数
输出电流 ≤8.00 A
正向电压 680mV @8A
极性 Standard
正向电压Max 680mV @8A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerDFN-3
外形尺寸
长度 6.15 mm
宽度 4.75 mm
高度 1.2 mm
封装 PowerDFN-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
V8P10HE3/87A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买V8P10HE3/87A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| V8P10HE3/87A | Vishay Semiconductor 威世 | 高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | 搜索库存 |
替代型号V8P10HE3/87A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： V8P10HE3/87A 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-277 | 当前型号 | 高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | 当前型号 |
| 型号： V8P10-E3/87A 品牌： 威世 封装： TO-277 | 完全替代 | 高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | V8P10HE3/87A和V8P10-E3/87A的区别 |
| 型号： V8P10HM3/86A 品牌： 威世 封装： TO-277 | 类似代替 | TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor | V8P10HE3/87A和V8P10HM3/86A的区别 |
| 型号： V8P10HM3/87A 品牌： 威世 封装： TO-277 | 类似代替 | 高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | V8P10HE3/87A和V8P10HM3/87A的区别 |