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LM224ADR、LM224ADT、LM224AD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM224ADR LM224ADT LM224AD

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM224ADR  运算放大器, 四路, 1.2 MHz, 4个放大器, 0.5 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 14 引脚STMICROELECTRONICS  LM224ADT  运算放大器, 四路, 1.3 MHz, 4个放大器, 0.4 V/µs, ± 1.5V 至 ± 15V, SOIC, 14 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LM224AD  运算放大器, 四路, 1.2 MHz, 4个放大器, 0.5 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 14 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

输出电流 30mA @15V 70 mA 30mA @15V

供电电流 1.4 mA 1.5 mA 1.4 mA

电路数 4 4 4

通道数 4 4 4

针脚数 14 14 14

耗散功率 - 400 mW -

共模抑制比 70 dB 80 dB 70dB ~ 80dB

带宽 1.2 MHz 1.3 MHz 1.2 MHz

转换速率 500 mV/μs 400 mV/μs 500 mV/μs

增益频宽积 1.2 MHz 1.3 MHz 1.2 MHz

输入补偿电压 3 mV 2 mV 3 mV

输入偏置电流 20 nA 20 nA 20 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 105 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -25 ℃ -40 ℃ -25 ℃

增益带宽 1.2 MHz 1.3 MHz 1.2 MHz

耗散功率(Max) - 400 mW -

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压 - 3V ~ 30V -

电源电压(DC) - - 15.0 V

输入补偿漂移 7.00 µV/K - 7.00 µV/K

电源电压(Max) - - 32 V

电源电压(Min) - - 3 V

长度 8.65 mm 8.75 mm 8.65 mm

宽度 3.91 mm 4 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.65 mm 1.58 mm

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

工作温度 -25℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃ -25℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -