FQD24N08、IRFZ24NPBF、IRLZ24NPBF对比区别

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型号 FQD24N08 IRFZ24NPBF IRLZ24NPBF

描述 80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFETN 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRLZ24NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 55 V, 60 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 DPAK TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - 45 W 45 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.07 Ω 0.06 Ω

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 45 W 45 W

阈值电压 - 4 V 2 V

输入电容 - 370 pF 480 pF

漏源极电压(Vds) 80 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 - 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 19.6A 17A 18A

上升时间 - 34 ns 74 ns

输入电容(Ciss) - 370pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 45 W 45 W

下降时间 - 27 ns 29 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 45W (Tc) 45W (Tc)

通道数 - 1 -

长度 - 10 mm 10.54 mm

高度 - 8.77 mm 8.77 mm

封装 DPAK TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.4 mm -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17