极性 N-CH
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 19.6A
安装方式 Surface Mount
封装 DPAK
封装 DPAK
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FQD24N08 | Fairchild 飞兆/仙童 | 80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: FQD24N08 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: | 当前型号 | 80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET | 当前型号 | |
型号: IRFR1205TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 55V 44A | 功能相似 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | FQD24N08和IRFR1205TRPBF的区别 | |
型号: IRFZ24NPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 55V 17A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | FQD24N08和IRFZ24NPBF的区别 | |
型号: IRLZ24NPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 55V 18A | 功能相似 | INFINEON IRLZ24NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 55 V, 60 mohm, 10 V, 2 V | FQD24N08和IRLZ24NPBF的区别 |