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Fairchild 飞兆/仙童 电子元器件分类
FQD24N08中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 19.6A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DPAK

外形尺寸

封装 DPAK

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FQD24N08引脚图与封装图
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FQD24N08 Fairchild 飞兆/仙童 80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET 搜索库存
替代型号FQD24N08
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQD24N08

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装:

当前型号

80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET

当前型号

型号: IRFR1205TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 55V 44A

功能相似

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

FQD24N08和IRFR1205TRPBF的区别

型号: IRFZ24NPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 55V 17A

功能相似

N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

FQD24N08和IRFZ24NPBF的区别

型号: IRLZ24NPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 55V 18A

功能相似

INFINEON  IRLZ24NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 55 V, 60 mohm, 10 V, 2 V

FQD24N08和IRLZ24NPBF的区别