IRGP4750D-EPBF、STGW60H65DFB对比区别

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型号 IRGP4750D-EPBF STGW60H65DFB

描述 IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES650V,80A,IGBT带二极管

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

耗散功率 273000 mW 375 W

击穿电压(集电极-发射极) 650 V 650 V

反向恢复时间 150 ns 60 ns

额定功率(Max) 273 W 375 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 273000 mW 375 W

针脚数 - 3

长度 15.87 mm 15.75 mm

宽度 5.31 mm 5.15 mm

高度 20.7 mm 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99