IRGP4750D-EPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRGP4750D-EPBF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 273000 mW
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 150 ns
额定功率Max 273 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 273000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.7 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRGP4750D-EPBF引脚图与封装图
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在线购买IRGP4750D-EPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRGP4750D-EPBF | Infineon 英飞凌 | IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES | 搜索库存 |
替代型号IRGP4750D-EPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRGP4750D-EPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-247-3 273000mW | 当前型号 | IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES | 当前型号 |
| 型号： STGW60H65DFB 品牌： 意法半导体 封装： TO-247-3 375000mW | 功能相似 | 650V,80A,IGBT带二极管 | IRGP4750D-EPBF和STGW60H65DFB的区别 |