BST82、BST82,215、BS170对比区别

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型号 BST82 BST82,215 BS170

描述 NXP  BST82  晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 100 V, 10 ohm, 5 V, 2 VNXP  BST82,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 100 V, 5 ohm, 5 V, 2 V小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-226-3

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 500 mA

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 10 Ω 5 Ω 5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 830 mW 830 mW 350 mW

阈值电压 2 V 2 V 2.1 V

输入电容 - - 60.0 pF

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 60 V

漏源击穿电压 - - 60 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 190 mA 190 mA 500 mA

输入电容(Ciss) 25pF @10V(Vds) 40pF @10V(Vds) 60pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 830 mW 830 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.83 W 830mW (Tc) 350mW (Ta)

长度 3 mm - 5.2 mm

宽度 1.4 mm 1.4 mm 4.19 mm

高度 1 mm - 5.33 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-226-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -