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TL032IDG4、TL032IDR、TL032IDRG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL032IDG4 TL032IDR TL032IDRG4

描述 增强型JFET低功耗低偏移运算放大器 ENHANCED-JFET LOW-POWER LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS增强型JFET低功耗低偏移运算放大器 ENHANCED-JFET LOW-POWER LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS增强型JFET低功耗低偏移运算放大器 ENHANCED-JFET LOW-POWER LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 434 µA 434 µA 434 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 9.70 µV/K 9.70 µV/K 9.70 µV/K

带宽 1.1 MHz 1.1 MHz 1.10 MHz

转换速率 2.90 V/μs 2.90 V/μs 2.90 V/μs

增益频宽积 1 MHz 1.1 MHz 1 MHz

输入补偿电压 570 µV 570 µV 3.5 mV

输入偏置电流 2 pA 2 pA 0.2 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压(Max) 30 V - 30 V

电源电压(Min) 10 V - 10 V

输出电流 ≤40 mA ≤40 mA -

增益带宽 - 1.1 MHz -

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -