MRF8S9100HSR3、MRFE6P3300HR3、MRF8S9170NR3对比区别

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型号 MRF8S9100HSR3 MRFE6P3300HR3 MRF8S9170NR3

描述 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 100W NI780HSRF Power Transistor,470 to 860MHz, 300W, Typ Gain in dB is 20.4 @ 860MHz, 32V, LDMOS, SOT1856Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960MHz, 50W Avg., 28V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Screw Surface Mount

引脚数 3 5 3

封装 NI-780S NI-860C3 OM-780-2

频率 920 MHz 857MHz ~ 863MHz 920 MHz

额定电流 10 µA 10 µA -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

输出功率 72 W 270 W 50 W

增益 19.3 dB 20.4 dB 19.3 dB

测试电流 500 mA 1.6 A 1 A

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 70 V 66 V 70 V

输入电容(Ciss) - 106pF @32V(Vds) -

电源电压 - 32 V -

封装 NI-780S NI-860C3 OM-780-2

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 - -65℃ ~ 225℃ -