IPB80N06S2L11ATMA1、IPB80N06S2L11ATMA2对比区别

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型号 IPB80N06S2L11ATMA1 IPB80N06S2L11ATMA2

描述 Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S2L11ATMA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装N沟道 55V 80A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

通道数 1 -

极性 N-CH N-CH

耗散功率 158W (Tc) 158 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A

上升时间 32 ns 32 ns

输入电容(Ciss) 2075pF @25V(Vds) 2075pF @25V(Vds)

下降时间 13 ns 13 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 158W (Tc) 158W (Tc)

长度 10 mm -

宽度 9.25 mm -

高度 4.4 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 Lead Free 无铅