IPB80N06S2L11ATMA1

Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S2L11ATMA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装（无铅）

超低 Rdson

得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S2L11ATMA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

贸泽:
MOSFET N-CHANNEL_55/60V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R