TLV27L1ID、TLV27L1IDR、TLV27L1IDG4对比区别
型号 TLV27L1ID TLV27L1IDR TLV27L1IDG4
描述 BiMOS/BiCMOS 运算放大器，TLV/LMV 系列### 运算放大器，Texas InstrumentsTEXAS INSTRUMENTS TLV27L1IDR 运算放大器, 单路, 160 kHz, 1个放大器, 0.06 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚11uA/Channel, 160kHz, -Out Op Amp 8-SOIC -40℃ to 125℃
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
输出电流 0.4mA @2.7V 0.4mA @2.7V 0.4mA @2.7V
供电电流 7 µA 7 µA 7 µA
电路数 1 1 1
通道数 1 1 1
耗散功率 0.71 W 710 mW 710 mW
共模抑制比 71 dB 71 dB 71dB ~ 86dB
输入补偿漂移 1.10 µV/K 1.10 µV/K 1.10 µV/K
带宽 160 kHz 160 kHz 160 kHz
转换速率 60.0 mV/μs 60.0 mV/μs 60.0 mV/μs
增益频宽积 160 kHz 0.16 MHz 160 kHz
输入补偿电压 500 µV 5 mV 500 µV
输入偏置电流 1 pA 0.06 nA 1 pA
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃
增益带宽 160 kHz 0.16 MHz 0.16 MHz
耗散功率(Max) 710 mW 710 mW 710 mW
共模抑制比(Min) 71 dB 71 dB 71 dB
电源电压(Max) - 16 V 16 V
电源电压(Min) - - 2.7 V
针脚数 - 8 -
长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm
宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm
高度 1.58 mm 1.58 mm 1.58 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -