CY7C1418AV18-200BZXC、CY7C1418BV18-250BZI、CY7C1418BV18-250BZC对比区别

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型号 CY7C1418AV18-200BZXC CY7C1418BV18-250BZI CY7C1418BV18-250BZC

描述 36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

引脚数 - 165 165

封装 FBGA FBGA-165 LBGA-165

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 - 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(DC) 1.80 V, 1.90 V (max) - -

时钟频率 200MHz (max) - -

存取时间 0.45 ns - -

内存容量 36000000 B - -

位数 - 18 -

存取时间(Max) - 0.45 ns -

高度 - 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA FBGA-165 LBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray, Bulk Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead