JAN2N7371、JANTXV2N7371、2N7371对比区别

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型号 JAN2N7371 JANTXV2N7371 2N7371

描述 PNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTORPNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTORPNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-254 TO-254-3 TO-254

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 12A 12A 12A

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 100000 mW 100000 mW 100000 mW

耗散功率 100 W 100 W -

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @6A, 3V -

额定功率(Max) - 100 W -

封装 TO-254 TO-254-3 TO-254

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 - NLR -