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JANTXV2N7371

JANTXV2N7371

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PNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

This high power PNP transistor is rated at 12 amps and is military qualified up to the JANTXV level for high reliability applications.  This TO-254AA low-profile design offers flexible mounting options.


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT


艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 12A 100000mW 3-Pin3+Tab TO-254 Tray


Verical:
Trans Darlington PNP 100V 12A 100000mW 3-Pin3+Tab TO-254 Tray


JANTXV2N7371中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 100 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 12A

最小电流放大倍数hFE 1000 @6A, 3V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-254-3

外形尺寸

封装 TO-254-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

JANTXV2N7371引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTXV2N7371 Microsemi 美高森美 PNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JANTXV2N7371
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTXV2N7371

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-254 PNP 100000mW

当前型号

PNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号： JAN2N7371

品牌： 美高森美

封装：

完全替代

PNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

JANTXV2N7371和JAN2N7371的区别

型号： 2N7371

品牌： 美高森美

封装：

功能相似

PNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

JANTXV2N7371和2N7371的区别

型号： JANTX2N7371

品牌： 美高森美

封装：

功能相似

PNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

JANTXV2N7371和JANTX2N7371的区别