SIJ400DP-T1-GE3、SIR466DP-T1-GE3对比区别
型号 SIJ400DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3
描述 VISHAY SIJ400DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 32A, 30V, 3.3mohm, 10V, 1.2VVISHAY SIR466DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 8 8
封装 SOIC SOIC
安装方式 - Surface Mount
漏源极电阻 0.0033 Ω 0.0029 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 69.4 W 54 W
阈值电压 1.2 V 1.2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 32.0 A 40.0 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
针脚数 - 8
上升时间 - 19 ns
输入电容(Ciss) - 2730pF @15V(Vds)
下降时间 - 15 ns
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 5 W
封装 SOIC SOIC
长度 - 5.15 mm
宽度 - 5.89 mm
高度 - 1.04 mm
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃