SIJ400DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0033 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 69.4 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIJ400DP-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIJ400DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIJ400DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIJ400DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 32A, 30V, 3.3mohm, 10V, 1.2V | 搜索库存 |
替代型号SIJ400DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIJ400DP-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： N-Channel 30V 32A | 当前型号 | VISHAY SIJ400DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 32A, 30V, 3.3mohm, 10V, 1.2V | 当前型号 |
| 型号： SIR466DP-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOIC N-Channel 30V 40A | 类似代替 | VISHAY SIR466DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷 | SIJ400DP-T1-GE3和SIR466DP-T1-GE3的区别 |