锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

TLC27L2BCDR、TLC27L2BCDRG4、TLC271ACDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC27L2BCDR TLC27L2BCDRG4 TLC271ACDR

描述 路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS路LinCMOS可编程低功耗TIONAL放大器 LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER TIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 29 µA 29 µA 950 µA

电路数 2 2 1

通道数 2 2 1

耗散功率 0.725 W 0.725 W 725 mW

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K 1.10 µV/K 1.80 µV/K

带宽 85.0 kHz 85.0 kHz 1.70 MHz

转换速率 30.0 mV/μs 30.0 mV/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 0.085 MHz 110 kHz 2.2 MHz

输入补偿电压 235 µV 235 µV 900 µV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA .7 pA

增益带宽 0.085 MHz 0.085 MHz -

电源电压(Max) 16 V 16 V 16 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V

输出电流 ≤30 mA - ≤30 mA

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB - 65 dB

电源电压 3V ~ 16V - -

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free