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TLV2771ID、TLV2771IDG4、TLV2771IDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2771ID TLV2771IDG4 TLV2771IDR

描述 CMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments家庭2.7 -V高转换率轨至轨输出运算放大器,带有关断 FAMILY OF 2.7-V HIGH-SLEW-RATE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN家庭的2.7高转换率轨至轨输出运算放大器,带有关断 FAMILY OF 2.7-HIGH-SLEW-RATE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA ≤50 mA ≤50 mA

供电电流 1 mA 1 mA 1 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 725 mW 0.725 W 0.725 W

共模抑制比 60 dB 60 dB 60dB ~ 96dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 5.10 MHz 5.10 MHz 5.10 MHz

转换速率 10.5 V/μs 10.5 V/μs 10.5 V/μs

增益频宽积 5.1 MHz 5.1 MHz 5.1 MHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 500 µV 500 µV 500 µV

输入偏置电流 2 pA 2 pA 2 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃

增益带宽 5.1 MHz 5.1 MHz 5.1 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 60 dB 60 dB 60 dB

电源电压(Max) 6 V 6 V 6 V

电源电压(Min) 2.5 V 2.5 V 2.5 V

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free