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AD8620BR、AD8620BR-REEL、TLE2082AIDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD8620BR AD8620BR-REEL TLE2082AIDR

描述 精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifier精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifier神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - - ≤80 mA

供电电流 - 3 mA 3.1 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 - - 0.725 W

共模抑制比 - 95.0 dB 70 dB

输入补偿漂移 - - 2.40 µV/K

带宽 - - 9.40 MHz

转换速率 60.0 V/μs 60.0 V/μs 40.0 V/μs

增益频宽积 25 MHz 25 MHz 10 MHz

输入补偿电压 - 45 µV 700 µV

输入偏置电流 - 3 pA 20 pA

工作温度(Max) 125 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

增益带宽 - - 10 MHz

耗散功率(Max) - - 725 mW

共模抑制比(Min) 90 dB - 70 dB

输入电容 - 15.0 pF -

输入阻抗 - 1.00 TΩ -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

高度 1.5 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape, Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

军工级 - No -

香港进出口证 NLR - -