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AM29F010B-70PD、SST39SF010A-70-4C-PHE、M29F010B70P1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AM29F010B-70PD SST39SF010A-70-4C-PHE M29F010B70P1

描述 NOR Flash Parallel 5V 1M-bit 128K x 8 70ns 32Pin PDIPMICROCHIP  SST39SF010A-70-4C-PHE  芯片, 闪存, 1MB, 70NS, DIP-32电可擦除可编程只读存储器 1M (128Kx8) 70ns

数据手册 ---

制造商 Spansion (飞索半导体) Microchip (微芯) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 Flash芯片Flash芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 32 32 -

封装 DIP DIP-32 DIP

电源电压(DC) 5.50V (max) 4.50V (min) -

针脚数 - 32 -

时钟频率 - 14 MHz -

位数 - 8 -

存取时间 - 70 ns 70.0 ns

内存容量 125000 B 125000 B -

存取时间(Max) - 70 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

长度 - 42.04 mm -

宽度 - 13.97 mm -

高度 - 3.81 mm -

封装 DIP DIP-32 DIP

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - 3A991.b.1.a -

HTS代码 - 8542320051 -