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TL431BCDE4、TL431CDG4、TL1431ID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL431BCDE4 TL431CDG4 TL1431ID

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TL431BCDE4  电压基准, 精密, 分流 - 可调, TL431系列, 2.495V至36V, SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  TL431CDG4  电压基准, 精密, 分流 - 可调, TL431系列, 2.495V至36V, SOIC-8STMICROELECTRONICS  TL1431ID  电压基准, 分流 - 可调, TL1431系列, 2.5V至36V, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±0.5 % ±2.2 % ±0.4 %

输入电压(DC) 2.50V ~ 36.0V 2.50V ~ 36.0V 2.50V ~ 36.0V

输出电压 2.495V ~ 36V 2.495V ~ 36V 2.5V ~ 36V

输出电流 100 mA 100 mA 100 mA

供电电流 - - 2.50 µA

通道数 - 1 1

针脚数 8 8 8

输入电压(Max) 37 V 36 V 37 V

输出电压(Max) 36 V 36 V 36 V

输出电压(Min) 2.495 V 2.495 V 2.5 V

输出电流(Max) 100 mA 100 mA 100 mA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

输入电压 37 V 37 V 2.4V ~ 2.5V

输入电压(Min) - 2.495 V -

精度 - ±2 % -

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.91 mm 4 mm

高度 - 1.58 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 105℃ (TA)

温度系数 ±34.0 ppm/℃ ±34 ppm/℃ ±100 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -