CSD17578Q5A、CSD17578Q5AT对比区别

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型号 CSD17578Q5A CSD17578Q5AT

描述 CSD17578Q5A 30 V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.3mΩ 8-VSONP -55 to 150

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SON-8 VSON-8

漏源极电阻 - 0.0059 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 3.1 W 42 W

阈值电压 - 1.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

上升时间 - 22 ns

输入电容(Ciss) 1510pF @15V(Vds) 1510pF @15V(Vds)

下降时间 - 2 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 42W (Tc) 3.1W (Ta), 42W (Tc)

连续漏极电流(Ids) 16A -

封装 SON-8 VSON-8

长度 6 mm -

宽度 4.9 mm -

高度 1 mm -

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/06/15