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DS1220AD-200、DS1220AD-200IND+、DS1220AB-200+对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220AD-200 DS1220AD-200IND+ DS1220AB-200+

描述 IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIPRAM,Maxim IntegratedMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AB-200+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 24 24

封装 DIP-24 EDIP-24 EDIP-24

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

针脚数 - 24 24

时钟频率 200 GHz 200 GHz 200 GHz

存取时间 200 ns 200 ns 200 ns

内存容量 2000 B 2000 B 2000 B

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.25 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.75 V

长度 - 38.1 mm 34.04 mm

宽度 - 18.29 mm 18.29 mm

高度 - 10.67 mm 9.4 mm

封装 DIP-24 EDIP-24 EDIP-24

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -