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DS1220AD-200IND+

DS1220AD-200IND+

数据手册.pdf

RAM,Maxim Integrated

静态 RAM,

### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP


欧时:
DS1220AD-200IND+, SRAM


贸泽:
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM


安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP


Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-200IND+  NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8bit, 200 ns


DS1220AD-200IND+中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

针脚数 24

时钟频率 200 GHz

存取时间 200 ns

内存容量 2000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 24

封装 EDIP-24

外形尺寸

长度 38.1 mm

宽度 18.29 mm

高度 10.67 mm

封装 EDIP-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

制造应用 Embedded Design & Development, 嵌入式设计与开发

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DS1220AD-200IND+引脚图与封装图
DS1220AD-200IND+引脚图

DS1220AD-200IND+引脚图

DS1220AD-200IND+封装图

DS1220AD-200IND+封装图

DS1220AD-200IND+封装焊盘图

DS1220AD-200IND+封装焊盘图

在线购买DS1220AD-200IND+
型号 制造商 描述 购买
DS1220AD-200IND+ Maxim Integrated 美信 RAM,Maxim Integrated 搜索库存
替代型号DS1220AD-200IND+
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1220AD-200IND+

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: DIP 2000B 5V 200ns 24Pin

当前型号

RAM,Maxim Integrated

当前型号

型号: DS1220AD-200

品牌: 美信

封装: EDIP 2000B 5V 200ns 24Pin

完全替代

IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP

DS1220AD-200IND+和DS1220AD-200的区别

型号: DS1220AD-200IND

品牌: 美信

封装: DIP 2000B 5V 200ns 24Pin

完全替代

IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP

DS1220AD-200IND+和DS1220AD-200IND的区别

型号: DS1220AB-200+

品牌: 美信

封装: DIP 2000B 5V 200ns 24Pin

类似代替

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AB-200+  芯片, 存储器, NVRAM

DS1220AD-200IND+和DS1220AB-200+的区别