FQP3N60、STP120NF10、STP3NK60Z对比区别

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型号 FQP3N60 STP120NF10 STP3NK60Z

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP120NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STP3NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 600 V 100 V 600 V

额定电流 3.00 A 120 A 2.40 A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 3.60 Ω 0.009 Ω 3.6 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 75W (Tc) 312 W 45 W

阈值电压 - 4 V 3.75 V

漏源极电压(Vds) 600 V 100 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 100 V 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 110 A 2.40 A

上升时间 - 90 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 450pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 311pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 75 W 312 W 45 W

下降时间 - 68 ns 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 75W (Tc) 312000 mW 45W (Tc)

通道数 - 1 -

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm

高度 9.4 mm 9.15 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99