FQP3N60
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP3N60中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 3.00 A
漏源极电阻 3.60 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 75W Tc
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
输入电容Ciss 450pF @25VVds
额定功率Max 75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP3N60引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQP3N60
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP3N60 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 600V 3A 3.6ohms | 当前型号 | 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQP3N60和STP55NF06的区别 |
| 型号： STP120NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 110A 10.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V | FQP3N60和STP120NF10的区别 |
| 型号： SPA04N80C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 800V 4A | 功能相似 | INFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V | FQP3N60和SPA04N80C3的区别 |