JANTX2N3879、JANTXV2N3879、2N3879对比区别

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型号 JANTX2N3879 JANTXV2N3879 2N3879

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-213 TO-213 TO-66

耗散功率 - - 35 W

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 35000 mW - 35000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 75 V 75 V -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 5V 20 @4A, 5V -

额定功率(Max) 35 W 35 W -

封装 TO-213 TO-213 TO-66

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 -

ECCN代码 - EAR99 -