JANTXV2N3879
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N3879中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 75 V
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 5V
额定功率Max 35 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-213
外形尺寸
封装 TO-213
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTXV2N3879引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N3879
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N3879 | Microsemi 美高森美 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N3879
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N3879 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-66 | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3879 品牌： 美高森美 封装： TO-66 | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N3879和JANTX2N3879的区别 |
| 型号： 2N3879 品牌： Solid State Devices 封装： | 功能相似 | Power Bipolar Transistor, 7A IC, 75V VBRCEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2Pin, TO-66, 2Pin | JANTXV2N3879和2N3879的区别 |
