IPP030N10N3GXKSA1、IPP045N10N3GXKSA1、IPP04CN10N G对比区别
型号 IPP030N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 IPP04CN10N G
描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON IPP045N10N3GXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2.7 VINFINEON IPP04CN10N G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 3.5 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0026 Ω 0.0039 Ω 0.0035 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 214 W 300 W
阈值电压 2.7 V 2.7 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
上升时间 58 ns 59 ns 78 ns
下降时间 28 ns 14 ns 25 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定功率 300 W 214 W -
输入电容 - 6320 pF -
连续漏极电流(Ids) 100A 100A -
输入电容(Ciss) 14800pF @50V(Vds) 8410pF @50V(Vds) -
额定功率(Max) 300 W 214 W -
耗散功率(Max) 300W (Tc) 214W (Tc) -
长度 10.36 mm 10 mm 10 mm
宽度 4.57 mm 4.4 mm 4.4 mm
高度 15.95 mm 15.65 mm 15.65 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 Active Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
含铅标准 Lead Free Lead Free -