SPB20N60C2、SPP11N80C3、SPP04N80C3对比区别
型号 SPB20N60C2 SPP11N80C3 SPP04N80C3
描述 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power TransistorINFINEON SPP11N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 D2PAK-263 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 800 V 800 V
额定电流 - 11.0 A 4.00 A
额定功率 - 156 W 63 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.39 Ω 1.1 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 - 156 W 63 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 20A 11.0 A 4.00 A
上升时间 51 ns 15 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 1600pF @100V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 156 W 63 W
下降时间 6 ns 7 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 208000 mW 156 W 63W (Tc)
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 800 V
长度 - 10.36 mm 10 mm
宽度 - 4.57 mm 4.4 mm
高度 - 9.45 mm 15.65 mm
封装 D2PAK-263 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -