SPB20N60C2
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Infineon
英飞凌
电子元器件分类
SPB20N60C2中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 51 ns
输入电容Ciss 3000pF @25VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 D2PAK-263
外形尺寸
封装 D2PAK-263
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SPB20N60C2引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPB20N60C2 | Infineon 英飞凌 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | 搜索库存 |
替代型号SPB20N60C2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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