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TLV2772AMDG4、TLV2772AQDG4、TLV2772AMD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2772AMDG4 TLV2772AQDG4 TLV2772AMD

描述 家庭的2.7高转换率轨至轨输出运算放大器,带有关断 FAMILY OF 2.7-HIGH-SLEW-RATE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN家庭2.7 -V高转换率轨至轨输出运算放大器,带有关断 FAMILY OF 2.7-V HIGH-SLEW-RATE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN家庭2.7 -V高转换率轨至轨输出运算放大器,带有关断 FAMILY OF 2.7-V HIGH-SLEW-RATE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - - ≤50 mA

供电电流 1 mA 1 mA 1 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 725 mW - 0.725 W

共模抑制比 - - 60 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 5.10 MHz 5.10 MHz 5.10 MHz

转换速率 10.5 V/μs 10.5 V/μs 10.5 V/μs

增益频宽积 5.1 MHz 5.1 MHz 5.1 MHz

输入补偿电压 360 µV 360 µV 360 µV

输入偏置电流 2 pA 2 pA 2 pA

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

增益带宽 5.1 MHz - 5.1 MHz

耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW

共模抑制比(Min) 60 dB - 60 dB

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube, Rail Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

军工级 Yes - Yes