IPI200N15N3GXKSA1、IPP200N15N3GXKSA1、IPP111N15N3G对比区别

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型号 IPI200N15N3GXKSA1 IPP200N15N3GXKSA1 IPP111N15N3G

描述 TO-262 N-CH 150V 50A单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - 150 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.016 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 150 W 214 W

阈值电压 - 3 V -

输入电容 - 1820 pF -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V -

连续漏极电流(Ids) 50A 50A -

上升时间 11 ns 11 ns -

输入电容(Ciss) 1820pF @75V(Vds) 1820pF @75V(Vds) -

额定功率(Max) - 150 W -

下降时间 6 ns 6 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150000 mW 150W (Tc) -

通道数 - - 1

封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.2 mm - -

宽度 4.5 mm - -

高度 9.45 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC