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IRLL110PBF、IRLL110TRPBF、IRFL110TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLL110PBF IRLL110TRPBF IRFL110TRPBF

描述 VISHAY  IRLL110PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 VVISHAY  IRLL110TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 27W, SOT-223VISHAY  IRFL110TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 4

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 1.50 A - -

额定功率 3.1 W 3.1 W -

针脚数 3 4 3

漏源极电阻 540 mΩ 0.54 Ω 0.54 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.1 W 27 W 2 W

阈值电压 2 V 2 V 2 V

输入电容 250pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - -

连续漏极电流(Ids) 1.50 A 1.50 A 1.50 A

上升时间 47 ns 47 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 250pF @25V(Vds) 250pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds)

下降时间 18 ns 18 ns 9.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 3.1 W 3.1 W

长度 6.7 mm 6.7 mm 6.7 mm

宽度 3.7 mm 3.7 mm 3.7 mm

高度 1.45 mm 1.8 mm 1.8 mm

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99