IRLL110TRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 3.1 W
针脚数 4
漏源极电阻 0.54 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 27 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
上升时间 47 ns
输入电容Ciss 250pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.8 mm
封装 SOT-223
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRLL110TRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRLL110TRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRLL110TRPBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRLL110TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 27W, SOT-223 | 搜索库存 |
替代型号IRLL110TRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRLL110TRPBF 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-223 N-Channel 100V 1.5A | 当前型号 | VISHAY IRLL110TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 27W, SOT-223 | 当前型号 |
| 型号： IRLL110PBF 品牌： 威世 封装： SOT-223 N-Channel 100V 1.5A | 功能相似 | VISHAY IRLL110PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V | IRLL110TRPBF和IRLL110PBF的区别 |