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2N2906U、MMDT3906V-TP、MMDT3906对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N2906U MMDT3906V-TP MMDT3906

描述 Epitaxial Planar Pnp Transistor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 40VPNP外延硅晶体管

数据手册 ---

制造商 KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) Micro Commercial Components (美微科) UTC (友顺)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 -

封装 - SOT-563-6 SOT-363

额定电压(DC) - -40.0 V -

额定电流 - -200 mA -

极性 - PNP -

耗散功率 - 150 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V -

集电极最大允许电流 - 0.2A -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @10mA, 1V -

额定功率(Max) - 150 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 150 mW -

功耗 - - 200 mW

长度 - 1.7 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 - 0.6 mm -

封装 - SOT-563-6 SOT-363

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -