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IPB100N06S205ATMA4、IPB80N06S205ATMA1、IPB100N06S205ATMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB100N06S205ATMA4 IPB80N06S205ATMA1 IPB100N06S205ATMA1

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 55 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3 VD2PAK N-CH 55V 80AD2PAK N-CH 55V 100A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 3 -

通道数 - 1 1

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 300 W 300W (Tc) 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 100A 80A 100A

输入电容(Ciss) 5110pF @25V(Vds) 5110pF @25V(Vds) 5110pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0037 Ω - -

阈值电压 3 V - -

上升时间 31 ns 21 ns -

额定功率(Max) 300 W - -

下降时间 30 ns 20 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

长度 10 mm 10 mm 10 mm

宽度 9.25 mm 9.25 mm 9.25 mm

高度 4.4 mm 4.4 mm 4.4 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free