IPB100N06S205ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB100N06S205ATMA1中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 100A
输入电容Ciss 5110pF @25VVds
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPB100N06S205ATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPB100N06S205ATMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB100N06S205ATMA1 | Infineon 英飞凌 | D2PAK N-CH 55V 100A | 搜索库存 |
替代型号IPB100N06S205ATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB100N06S205ATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263-3 N-CH 55V 100A | 当前型号 | D2PAK N-CH 55V 100A | 当前型号 |
| 型号： IPB100N06S205ATMA4 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 55V 100A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 55 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3 V | IPB100N06S205ATMA1和IPB100N06S205ATMA4的区别 |