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FDP13AN06A0、STP55NF06、PHP52N06T,127对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP13AN06A0 STP55NF06 PHP52N06T,127

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的60V , 62A , 13.5mз N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mзMOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTO-220AB N-CH 60V 52A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 62.0 A 50.0 A -

漏源极电阻 13.5 mΩ 0.015 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 115 W 30 W 120 W

输入电容 1.35 nF - -

栅电荷 22.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 62.0 A 50.0 A 52A

上升时间 96 ns 50 ns 74 ns

输入电容(Ciss) 1350pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1592pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 115 W 110 W 120 W

下降时间 26 ns 15 ns 40 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 115W (Tc) 110W (Tc) 120W (Tc)

额定功率 - 110 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3 V -

长度 10.67 mm 10.4 mm -

宽度 4.7 mm 4.6 mm -

高度 16.3 mm 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -