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TPS736125DRBR、TPS736125DRBT、TPS736125DRBTG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPS736125DRBR TPS736125DRBT TPS736125DRBTG4

描述 无电容, NMOS , 400毫安低压差稳压器,反向电流保护 Cap-Free, NMOS, 400mA Low-Dropout Regulator with Reverse Current ProtectionTEXAS INSTRUMENTS  TPS736125DRBT  固定电压稳压器, LDO, 1.7V至5.5V, 75mV压差, 1.25V输出, 400mA输出, SON-8无电容, NMOS , 400毫安低压差稳压器 Cap-Free, NMOS, 400mA Low-Dropout Regulator

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 稳压芯片稳压芯片稳压芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VDFN-8 VDFN-8 SON-8

输出接口数 1 1 1

输出电压 1.25 V 1.25 V 1.25 V

输出电流 400 mA 400 mA 400 mA

供电电流 550µA ~ 1mA - -

耗散功率 2500 W 2500 W 2500 W

静态电流 0.3 mA 0.3 mA 0.3 mA

输出电容类型 Ceramic Ceramic Ceramic

跌落电压 0.075V @400mA 75 mV 0.075V @400mA

调节输出数 1 1 1

输入电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

输入电压(Min) 1.7 V 1.7 V 1.7 V

输出电压(Min) 1.25 V - -

输出电流(Max) 0.4 A 0.4 A 0.4 A

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

精度 ±0.5 % ±0.5 % ±0.5 %

输入电压 1.7V ~ 5.5V 1.7V ~ 5.5V 1.7V ~ 5.5V

输入电压(DC) - 5.50V (max) -

针脚数 - 8 -

长度 3 mm 3 mm 3 mm

宽度 3 mm 3 mm 3 mm

高度 0.88 mm 0.88 mm 0.88 mm

封装 VDFN-8 VDFN-8 SON-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -